Кое-что новенькое: память SOT-MRAM можно выпускать в промышленных масштабах

998cefd5a8582b5b033e924c640028cc

Кaк автор этих строк знaeм, энeргoнeзaвисимую пaмять STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM) в нaстoящee врeмя выпускaeт кoмпaния GlobalFoundries пo прoeкту кoмпaнии Everspin Technologies. Плoтнoсть 40-нм микрoсxeм STT-MRAM сoстaвляeт всeгo 256 Мбит (32 Мбaйт), чтo выгoднo кoмпeнсируeтся высoкoй скoрoстью рaбoты и бoльшeй устoйчивoстью к рaзрушeнию вo врeмя операций кожура, чем в случае памяти NAND. Сии высокие качества STT-MRAM позволяют предъявлять претензии магниторезистивной памяти с записью данных с через переноса спинового момента (spin-transfer torque) нате место в процессоре. Как по меньшей мере. речь идёт о замене массивов SRAM получай массивы STT-MRAM в качестве кеш-памяти третьего уровня (L3). А чего же с кеш-памятью L1 и L2?

По мнению мнению специалистов бельгийского исследовательского центра Imec, чтобы использования магниторезистивной памяти MRAM в качестве энергонезависимого иннокентий первого и второго уровней мнемозина STT-MRAM подходит не очень добро. На эту роль претендует побольше совершенный вариант магниторезистивной памяти, а просто — SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM). Писание в ячейку SOT-MRAM также происходит вращение-поляризованным током, но всего только в виде передачи вращательного момента, используя исполнение) этого спин-орбитальный минуточку электронов.

Принципиальная разница заключается в схеме управления туннельным переходом в составе ячейки памяти и в методе дневной журнал. Так, ячейка STT-MRAM представляет на лицо бутерброд из двух тонкоплёночных структур (разделённых диэлектриком), одна с которых имеет постоянную магниченность, а вторая «свободную» — зависящую ото поляризации приложенного тока. Фанера и чтение данных из такого типа ячейки происходят одинаково возле пропускании токов перпендикулярно вследствие туннельный переход. Тем самым повреждение ячейки происходит как нет слов время записи, так и кайфовый время чтения, хотя присутствие чтении токи значительно поменьше, чем при записи.

Травея с туннельным переходом SOT-MRAM, как и содержащая свободный слой и дернина с постоянной намагниченностью, записывается током, какой-либо движется вдоль туннельного перехода, а без- через все слои. Перемена «геометрии» подачи тока, заявляют в Imec, основательно повышает как устойчивость ячейки к износу, в среднем и скорость переключения слоя. Рядом сравнении работы ячеек STT-MRAM и SOT-MRAM, выпущенных в одной и той же пластине типоразмера 300 мм, в целях SOT-MRAM устойчивость к износу превысила 5·1010, а стремительность переключения ячейки (запись) снизилась с 5 нс впредь до 210 пс (пикосекунд). Израсходование при этом было держи низком уровне, равном 300 пДж (пикоджоулей).

Самобытный шарм всей этой истории заключается в томик, что в Imec показали удобный случай выпускать память SOT-MRAM получи и распишись штатном оборудовании на 300-мм кремниевых подложках. Как-то еще говоря, на практическом уровне доказали потенция запуска массового производства памяти будто SOT-MRAM.

Источник:

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.