12 августа, 2018 
adminGWP 
Пoкa кoнкурeнты гoтoвятся ударить к прoизвoдству 96-слoйнoй пaмяти 3D NAND иначе тoлькo-тoлькo зaвeршaют рaзрaбoтку пoдoбнoй пaмяти, кoмпaния Samsung нaчинaeт мaссoвый ливрезон сaмыx тexнoлoгичeски рaзвитыx мнoгoслoйныx чипoв флeш-пaмяти. Кoмпaния выпустилa прeсс-рeлиз, в кoтoрoм сooбщилa o зaпускe в мaссoвoe прoизвoдствo 256-Гбит чипoв 3D NAND TLC (в тeрминoлoгии Samsung — V-NAND) пятoгo поколения.
Эйдетизм пятого поколения включает точно беспрецедентное пока количество слоёв — больше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым живость обмена между памятью NAND и контроллером выросла в 40 % до 1,4 Гбит/с. Отметим, интерфейс Toggle DDR 3.0 позволял создать скорость обмена с чипами перед 800 Мбит/с. Разница в обществе Toggle DDR 4.0 и Toggle DDR 3.0 свыше 40 %, но в Samsung без- раскрывают организацию микросхем памяти нового поколения, чего) оставим этот момент сверху совести составителя пресс-релиза. Не фунт изюма то, что в сравнении с 64-слойными предшественниками затрачивание интерфейса и чипа не увеличилось, потому что одновременно снижено рабочее еда микросхем с 1,8 В до 1,2 В.
В данном анонсе Samsung подобает обратить внимание на оный факт, что компания далеко не обозначает новинки как 96-слойные решения, а только-тол как 90+. Между тем произвольный такой чип состоит изо двух установленных друг для друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Несравненно делись недостающие слои? Правильнее всего, в месте стыка двух кристаллов происходит гибель слоёв или компания отключает сии слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.
96-слойная 3D NAND может (пре)бывать составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)
Разный интересный момент в анонсе — сие достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — токмо 256 Гбит. Во-первых, сие уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины востребовать больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются в достаточной мере большими по площади и, можно вывести (заключить, становятся более устойчивыми к износу. Напоследях, большая площадь ячеек позволяет поднять параметры записи и чтения в ячейках. Приблизительно, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась возьми 30 % до 500 мкс, а соэ чтения «значительно» улучшила домашние параметры и ускорилась до 50 мкс.
За вычетом прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Нет слов-первых, за счёт улучшений в протекание депонирования (внесение примесей) подле производстве слоёв производительность процесса ускорилась нате 30 %. На иной манер говоря, выход продукции после единицу времени увеличился ли) не на треть. Во-вторых, компанийка смогла на 20 % добавить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Сие означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют как бы на потребление, так и получи и распишись внутренние процессы по обслуживанию ячеек (ровно по обработке данных внутри памяти).
Вопреки на все достижения, равным которым в индустрии отсутствует, компания Samsung не собирается дрыхать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает показать как 1-Тбит микросхемы памяти, манером) и память с ячейкой QLC, которая короче хранить четыре бита данных.
Рассадник:
Опубликовано в рубрике